北京
国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法”的专利，公开号CN121619920A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法，包括衬底、叠加于衬底之上的缓冲层、叠加于缓冲层之上的外延层、叠加于N柱上表面两侧阶梯区域的Pbody区以及位于N柱上表面、Pbody区上表面和N+区上表面部分区域之上的栅极结构层；外延层中包括N柱和位于N柱两侧的P柱；N柱中设置有多个间隔排列的P型局域结构；且每个P型局域结构的一端与一侧的P柱相接触，另一端与另一侧的P柱相接触；Pbody区中设置有P+区和N+区；其中，P+区位于远离N柱的一侧，N+区位于靠近N柱的一侧，从而提供了一种不显著影响超结功率 MOS 器件原有性能指标，且能显著提升其抗单粒子能力的超结MOS元胞结构。
天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目23次，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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