北京
国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法”的专利，公开号CN121610887A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法，属于碳化硅晶体生产技术领域。该装置包括坩埚主体、设有开口的坩埚盖、籽晶杆和温度调节装置；籽晶杆的一端连接承载籽晶的籽晶托，生长过程中籽晶托置于坩埚主体内，另一端套设有温度调节装置；温度调节装置包括调节组件、连接组件和传动组件；调节组件由石墨软毡制成且中心设有通孔，籽晶杆穿过通孔；传动组件通过连接组件连接调节组件，并控制调节组件沿籽晶杆上下移动，实现轴向温度调控；调节组件在上下移动过程中呈收缩状态，在与坩埚盖或籽晶托接触时，通过传动组件实现调节组件的展开。本方案实现了晶体生长过程中的轴向温度调控。
天眼查资料显示，北京晶格领域半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3345.6577万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶格领域半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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