Soitec 与NTU宣布在6G氮化镓技术上取得里程碑式进展

联合开展的为期四年的研究项目，彰显出“硅基氮化镓”（GaN - on - Silicon）于射频前端模组中对“砷化镓”（GaAs）技术进行补充的巨大潜力。

Soitec 与新加坡南洋理工大学（NTU Singapore）将于 2026 年世界移动通信大会（MWC）上公布其为期四年的下一代 6G 连接技术联合研究项目的斐然成果。Soitec 与 NTU Singapore 的精诚合作产出了三篇技术论文，充分展现了在 Soitec 的外延（EPI）晶圆上制造的氮化镓（GaN）器件的卓越高性能表现。

向 6G 技术的迈进，对设备和组件的功率密度、带宽以及能效提出了更为严苛的要求，这对于智能手机和可穿戴设备等紧凑型产品形态而言，构成了尤为严峻的挑战。在此宏观背景之下，Soitec 与 NTU Singapore 发表的研究成果凸显了“硅基氮化镓”在下一代智能手机及其他移动设备的射频前端模组中，对“砷化镓”（GaAs）技术进行补充的与日俱增的潜力。

借助 Soitec 比利时工厂研发的专用“硅基氮化镓”外延衬底，NTU 与 Soitec 的联合研究团队在 FR3 频段和毫米波（mmWave）频率下，针对手机电池所需的低电压状况，展现出了创纪录的功率附加效率（PAE）和频率性能。尤为值得一提的是，NTU 的研究人员在 FR3 频段达成了超过 50% 的 PAE 水平，有力地证实了这些衬底适用于高度集成、高能效的射频解决方案。他们表示，这些成果充分印证了“硅基氮化镓”能够将高射频性能与硅平台的成本、可扩展性和集成优势完美融合。随着智能手机行业积极为迎接 6G 时代做好准备，这种优势组合正愈发彰显出其独特的吸引力。

相较于传统的砷化镓（GaAs）解决方案，硅基氮化镓（GaN - on - Si）能够支撑更高的输出功率、实现更优的热管理并降低系统复杂性，同时达成更小、更高效的射频前端设计。这些突破性进展共同为更为紧凑、更具节能效益的 6G 基站以及下一代移动手机的发展铺平了道路，同时也加速了全球氮化镓生态系统在基础设施和消费市场领域的成熟进程。

Soitec 负责创新的高级执行副总裁兼首席技术官 Christophe Maleville 评论道：“这项研究清晰地昭示了先进的工程衬底在实现 6G 技术中所将扮演的基石性角色。我们与 NTU Singapore 的合作确凿证实，硅基氮化镓不仅能够契合未来移动设备在成本、可扩展性和集成方面的要求，还能提供卓越非凡的射频性能。通过突破效率和频率操作的极限，我们不仅是在为明日的智能手机射频前端做好筹备，也在加速全球氮化镓生态系统的蓬勃发展。”

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