北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121604453A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可包括高集成存储单元，用于制造该半导体装置的方法可包括：在衬底之上形成多个初步纳米片，在初步纳米片之间设置有第一水平间隙；形成间隔层，其环绕初步纳米片的部分并在初步纳米片之间限定第二水平间隙；形成填充间隔层的第二水平间隙的间隙填充层；在间隙填充层和间隔层上形成单元间介电层；使间隙填充层和间隔层水平凹陷并形成线性环绕凹陷；以及形成导线，其水平延伸同时在线性环绕凹陷中环绕初步纳米片的部分。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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