SIA发布声明反对《芯片安全法案》；ASML计划进军先进封装赛道；英伟达投资两家光学技术公司 | 新闻速递

五分钟了解产业大事

每日头条芯闻

1. SIA发布声明反对《芯片安全法案》
   

2. 台积电前高管罗唯仁被正式调查，涉嫌泄露2nm核心技术

3. ASML计划进军先进封装赛道

4. 爱立信下一代芯片将基于英特尔工艺，加速商用AI原生6G进程

5. 英伟达投资两家光学技术公司
   

6. 消息称苹果私有云计算遇挑战，拟让谷歌数据中心托管Siri AI核心算力

7. 三星晶圆代工得州泰勒厂大规模量产恐延期

8. 比亚迪在全球22个国家和地区销量超越特斯拉

9. Rapidus将携手佳能研发2nm图像处理芯片
   

10. 消息称SK海力士探索HBM4全新封装技术

11. TrendForce：2025年Q4五大NAND闪存原厂相关营收环比增长23.8%

12. 罗姆与印度Suchi达成战略合作，计划外包半导体后端制造

13. OpenAI将修改与美国战争部的协议，明确禁止监视美国人

14. Omdia：2025年大中华区手机出货量：华为同比增2%、vivo降7%、苹果增7%、小米增4%

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【SIA发布声明反对《芯片安全法案》】

美国半导体行业协会 (SIA) 于3月2日发布了总裁兼首席执行官John Neuffer的声明，反对《芯片安全法案》。

声明表示：“SIA成员完全致力于遵守出口管制规定，我们强烈反对非法转移和滥用我们的芯片技术。我们理解政策制定者关注这一问题的意愿，但我们不能支持对未经测试、可能不切实际的新型芯片机制（例如《芯片安全法案》中提出的机制）进行一刀切的强制规定。仓促立法强制实施复杂、昂贵且未经证实的安全功能，可能会损害全球对美国半导体技术的信任，阻碍美国人工智能技术出口，削弱我们的全球领导地位和竞争力。”

“我们公司与政府机构、执法部门和其他相关利益攸关方密切合作，以防止和侦查我们产品的非法转移和滥用行为。我们随时准备与国会合作，探讨有效应对这些风险的途径，并确保美国半导体技术成为全球人工智能生态系统的基础。”

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【ASML计划进军先进封装赛道】

荷兰阿斯麦（ASML）一名高管向路透社表示，公司制定了雄心勃勃的计划，将其芯片制造设备产品线拓展至多款全新产品，以在快速增长的人工智能芯片市场中抢占更多份额。

ASML希望跳出EUV业务范畴，计划进军先进封装设备市场。作为计划的一部分，ASML将在新业务及现有业务中应用人工智能技术。

ASML首席技术官马尔科 · 皮特斯向路透社表示：“我们不只着眼未来五年，更关注未来十年、甚至十五年。我们会研判行业可能的发展方向，以及封装、键合等环节需要怎样的技术支撑。”

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【英伟达投资两家光学技术公司】

英伟达近日分别发表声明称，将分别向Lumentum Holdings Inc.和Coherent Corp.投资20亿美元，达成多年合作协议。两项合作均包含先进激光组件的采购协议和使用权。投资资金将用于支持研发工作。

英伟达正利用其巨额利润构建一个强大的生态系统，以支持先进人工智能系统的发展。它直接投资于数据中心公司（如CoreWeave）和人工智能模型开发商（如OpenAI），从而提升了对其芯片的需求。

磷化铟激光器使数据中心能够实现更高的带宽连接和更快的数据传输。Coherent和Lumentum是美国生产这项技术的主要公司。这些交易确保了市场对这些激光器的需求稳定，同时也有助于降低其产能扩张的风险。

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【三星晶圆代工得州泰勒厂大规模量产恐延期】

据韩媒报道称，根据多位知情人士的透露，三星电子DS部晶圆代工业务位于美国得克萨斯州泰勒市的先进制程晶圆厂预计将在2027年初实现大规模量产。

“启动量产”与“大规模量产”两种说法间本身就存在差异，两者相隔一个“产能爬坡”阶段。即使泰勒厂的大规模量产延迟到2027年初，也不会对大客户特斯拉的AI5芯片制造产生重大影响。

此外，三星电子预计从本月开始在泰勒厂启动半导体制造设备运行测试，为后续的正式生产打下技术基础。

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【消息称SK海力士探索HBM4全新封装技术】

据韩媒报道，SK海力士正在为HBM4以及未来产品开发全新封装方案，核心措施包括提升DRAM厚度、缩小层间距。前者主要是将部分上层DRAM增加厚度，旨在提升整体稳定性；而后者则是在不增加整体封装厚度的前提下提高供电效率，能够加快数据传输速度并减少能耗。

不过间距缩小也带来了新挑战。更窄的间隙会让 MUF（模塑底部填充材料）更难稳定注入，可能导致缺陷产生。

为了解决这种问题，SK海力士正在研发全新封装技术，核心理念是维持稳定良率，近期内部测试较为积极。

若该技术成功商业化，则有助于HBM4及后续产品中缩小DRAM间距、突破技术瓶颈，无需大规模资本支出即可提升HBM4的性能。

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【TrendForce：2025年Q4五大NAND闪存原厂相关营收环比增长23.8%】

TrendForce表示，五大NAND闪存原厂（三星、SK海力士、铠侠、美光、闪迪）相关业务在2025年第4季度合计实现211.725亿美元营业收入（现约合1461.54亿元人民币），环比增长23.8%。

这其中包含SK海力士与下属Solidigm的SK集团整体上月在NAND业务上取得了47.8%的显著环比增幅；铠侠尽管增长有限但在营收和bit出货量两方面皆创下单季度新高。

对于2026年Q1，TrendForce认为由于NAND闪存扩充幅度有限、AI需求爆发导致供需严重失衡，原厂继续拉抬价格的意愿强烈，产品整体合约价格预计将环比增长85%~90%；与此同时，产能资源也将持续向服务器端倾斜，重心转移至超大容量QLC eSSD，消费类产品的供应将受到排挤。