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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域”的专利，公开号CN121604509A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域。本文提供了用于形成具有半导体器件的集成电路的技术，该半导体器件在半导体主体(例如，纳米带、纳米线或纳米片)之间具有低k内部电介质间隔体。电介质间隔体可以包括任何合适的低k电介质材料。另外，可以在形成源极或漏极区域之后形成内部电介质间隔体，这改善了源极或漏极区域对半导体主体的应力分布。在一个这样的示例中，半导体主体在第一方向上在源极或漏极区域之间延伸，并且栅极结构在第二方向上在源极或漏极区域之间的半导体主体之上延伸。内部间隔体沿着第一方向将栅极结构与源极或漏极区域分隔开。内部间隔体可以包括低k电介质材料，诸如二氧化硅。在一些示例中，内部间隔体沿着第一方向向外延伸超过半导体主体的端部。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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