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国家知识产权局信息显示，北京国联万众半导体科技有限公司取得一项名为“相变射频开关”的专利，授权公告号CN223957922U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种相变射频开关，属于微波开关器技术领域，包括由下至上层叠分布的衬底、衬底隔离层、相变层、导热层、加热层和保护层，还包括设于所述衬底隔离层和所述导热层之间的射频传输层，所述射频传输层还与所述相变层的外缘贴合，所述射频传输层具有位于所述导热层和所述加热层外侧的压点位，所述压点位用于与外部器件电连接，所述保护层开设有对应于所述压点位的避让孔，所述避让孔使所述压点位暴露于外部。本实用新型提供的相变射频开关，旨在解决现有GeTe相变开关切换速度慢，导致开关器件隔离度性能低下的问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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