国家知识产权局信息显示,南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请一项名为“绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法”的专利,公开号CN121586399A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法,包括步骤1、选取退火温度;步骤2、将P型掺杂层的掺杂浓度顶层设为最高,底层设为最低;步骤3、设计离子注入次数M;步骤4、M个P型掺杂层浓度从下至上依次增大;步骤5、设计每层铝离子注入层的离子注入参数;其中,离子注入能量从下至上依次降低;离子注入剂量从下至上依次增大。本发明采用多次离子注入,第一次注入高能量、小剂量,后续各次注入依次降低能量、增加剂量,经退火后形成从下至上递增的P型掺杂浓度分布,从而降低PN结拐角处电场峰值,并降低接触电阻,还使得SiCOI横向功率器件在保持高耐压同时扩大退火温度范围,从而提高退火工艺的容错率。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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