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国家知识产权局信息显示，华中科技大学、武汉国创科光电装备有限公司申请一项名为“一种基于迁移强化学习的阵列化电流体喷孔独立控制模型的构建方法”的专利，公开号CN121562376A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于迁移强化学习的阵列化电流体喷孔独立控制模型的构建方法，电流体喷印技术领域，包括：通过第一网络学习单喷孔在其特定工艺参数及其对应的打印液滴体积偏差下的工艺参数控制策略；将各喷孔位置编码和工艺参数以及目标喷孔打印液滴体积偏差拼接作为多维输入；通过适配层基于各喷孔位置编码和工艺参数计算目标喷孔串扰影响向量；将单喷孔的特征提取层参数迁移至第二网络特征提取层，基于目标喷孔串扰影响向量和打印液滴体积偏差以及各喷孔的工艺参数，调整第二网络中其它网络层参数，学习单喷孔在阵列化喷孔工艺参数以及目标喷孔的打印液滴体积偏差下的工艺参数控制策略。本发明面向高分辨率结构打印，兼顾高稳定性和高可控性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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