存储涨价潮带动三星股价创新高 AI存储成最大拉动因素

中经记者 谭伦 北京报道

自2025年的存储芯片涨价大潮仍在延续。

2026年2月19日，韩国存储芯片巨头三星电子股价再度创下历史新高，盘中一度上涨逾5%，最高触及190900韩元，今年以来累计涨幅已近50%，延续了2025年的迅猛涨势。

这一波狂飙背后，直接诱因是三星正在进行的涨价谈判。据韩媒披露，三星正与英伟达（NVIDIA）及其他大客户敲定最新一代HBM4及超高性能存储芯片的供应协议，其报价较上一代产品高出至多30%。在2025年存储价格已经翻倍的基础上，这种“利好叠加”让资本对存储市场的青睐再度升温。

获得利好的不止三星，就在几日前，媒体报道苹果已被迫同意日本闪存大厂铠侠的新续签合约，除了NAND闪存涨价100%外，铠侠有权在此后每个季度根据市场价重新议价。

在诸多刺激下，2026年年初的存储芯片市场已然一片看涨态势。CHIP中国实验室主任罗国昭向《中国经营报》记者表示，在供应不足带来的涨价潮持续之下，存储芯片已经进入卖方市场，这轮资本市场对存储企业的估价修正，可能还会延续较长一段时间。

三巨头聚焦AI存储

在此轮存储涨价潮中，AI存储被视为最大的拉动因素。其中，全球三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光，近三个月均将战略重心聚焦于AI高端存储领域，带动其股价同步走强。

综合多家韩国媒体消息，作为行业风向标，三星除推进最新一代HBM4芯片量产并洽谈高价定价外，还将平泽P4工厂的投产时间从2027年一季度提前至2026年四季度，重点部署高性能DRAM与HBM产品，抢占AI存储市场先机。据业界分析师估算，三星HBM4组件拟定价约700美元，较上一代HBM3E高出20%—30%，其营业利润率预计可达50%—60%，盈利空间大幅提升。

SK海力士紧随其后，作为AI需求爆发的核心受益者，SK海力士HBM产能已提前锁定至2026年。在高端存储产品占比提升带动下，公司盈利能力持续改善。市场普遍预计，其利润率有望维持在历史高位区间。

美光科技则聚焦HBM3E量产。美光CEO Sanjay Mehrotra最近在业绩电话会上表示，公司HBM产能已被客户提前预订至2026年。随着资源向AI数据中心领域倾斜，公司正优化产品结构，减少低毛利产品比重，提升整体盈利能力。受益于存储芯片涨价，其美股股价也持续大涨，带动西部数据等同行同步走高，费城半导体指数呈现普涨态势。

对于此轮AI存储的风靡原因，Trendforce研报分析认为，服务器端对高端存储单元的优先采购是本轮价涨的主要放大器。由于大型云服务商（CSP）与AI硬件采购方自2025年年底开始提前锁定产能、签订长期供应协议以确保算力集群扩展，这带来“抢占位次”的采购节奏，同时PC与手机端在2025年末出人意料地回暖，也吸走了一部分传统消费端的DRAM/NAND需求。

中国存储业紧随获利

本轮涨价浪潮下，中国本土存储厂商也动作频频，加快崛起步伐。

长鑫存储作为国内少数实现DRAM规模化量产的企业，正持续提升产能与产品成熟度，市场普遍预期其营收规模有望进一步扩大，并加速向中低端智能手机与PC市场渗透。在3D NAND领域，长江存储也依托Xtacking架构持续推进高堆叠产品布局。记者从多位半导体业内人士处获悉，部分国内服务器厂商正加大对国产企业级SSD的验证与导入力度，使其在全球存储价格上行周期中强化供应链多元化。

罗国昭认为，这部分反映了我国在“存储自给”战略上的加速；同时，外部的技术限制与部分供应链安全考量也使得国内客户在采购上更倾向进口与国产的双向布局，从而对短期市场构成额外需求支撑，而这也带动了存储价格的拉升。

不过，这一轮涨价趋势能持续多久，业界并未有共识。富达国际基金经理人白芳苹认为，存储市场的供需紧张虽有可能在未来一到两个季度内缓解，但整体涨价态势或延续至2026年年底。

半导体分析师季维认为，短期来看，AI训练需求短期难以回落，放眼一年以上的中长期，若主要厂商加快资本开支并且新产能的良率在2026年下半年逐步提升，则供给有望逐步缓和，价格有望回落但难恢复到疫情前的低位。

但是，若AI与云端扩容继续超预期，且厂商继续优先供给高毛利产品，价格可能维持高位直至2027年前后。据其预计，存储价格全面趋稳甚至下降，需等到2027—2028年新产能完全投产并稳定良率之后。

（编辑：张靖超 审核：李正豪 校对：翟军）