北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体模块”的专利，公开号CN121548092A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，一种半导体模块包括：绝缘体衬底；布置在绝缘体衬底处的第一金属化层；布置在第一金属化层的表面上的两个或更多个可控半导体元件，每个可控半导体元件包括栅极电极、第一负载电极和第二负载电极；栅极电极与第一负载电极之间的控制电流路径；第一负载电极与第二负载电极之间的可控的负载电流路径；以及布置在控制电流路径与负载电流路径之间的第一电路元件。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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