北京
国家知识产权局信息显示，中能兴盛（香河）半导体精密制造有限公司申请一项名为“一种用于晶体炉的实时监测反馈控制设备及监测方法”的专利，公开号CN121538739A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于晶体炉的实时监测反馈控制设备及监测方法，涉及晶体生长技术领域，磁浮定位梯度加热组件，通过Z轴线圈的上下对称设计和磁轭的闭合磁路，形成轴向约束，可精准控制坩埚的垂直位置径向约束，并且X和Y轴线圈通过左右、前后方向的磁场力，确保坩埚在水平方向的微小偏移被实时纠正，能够避免因机械接触带来的摩擦或振动，独立控制X、Y、Z轴线圈电流，可实现坩埚的三维空间定位，并能够实现复杂的轨迹运动，从而适应不同工艺需求，同时梯度磁场加热的设置，顶层、中层、底层的加热线圈能够形成温度梯度，传感器阵列可毫秒级捕捉坩埚的微小位移，并通过反馈回路动态调整线圈电流，从而确保定位精度。
天眼查资料显示，中能兴盛（香河）半导体精密制造有限公司，成立于2017年，位于廊坊市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9800万人民币。通过天眼查大数据分析，中能兴盛（香河）半导体精密制造有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可49个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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