北京
国家知识产权局信息显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司申请一项名为“一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法”的专利，公开号CN121538733A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法，涉及半导体材料技术领域，其中，所述生长方法包括以下步骤：（1）将高纯度β‑Ga2O3原料与掺杂剂混合后置于坩埚中，在真空或保护气氛下加热至原料完全熔化；（2）将模具预热后下降至熔体表面，使熔体通过模具的毛细通道上升至模具顶部形成熔体薄层；（3）将籽晶下降与模具顶部的熔体薄层接触，进行引晶；（4）通过控制温度梯度和提拉速度，使晶体在模具顶部定向生长；（5）生长结束后，将晶体提离熔体并进行退火处理。本发明通过优化模具设计、温场控制和生长工艺参数，能够实现高质量大尺寸氧化镓晶体的生长。
天眼查资料显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司，成立于2021年，位于济南市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东国镓晶谷半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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