北京
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器及其操作方法”的专利，公开号CN121548105A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种三维存储器及其操作方法。在三维存储器中，堆叠结构设置于介电基底上，且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。每一个栅极层包括彼此分隔开的第一栅极与第二栅极。所述多个环状通道层各自对应于所述多个栅极层中的一个而设置于相邻的绝缘层之间。p型掺杂区设置于每一个环状通道层中且邻近第一栅极。n型掺杂区设置于每一个环状通道层中且邻近第二栅极。源极线柱设置于介电基底上并贯穿堆叠结构，且位于环状通道层的内侧而与n型掺杂区接触。位线柱设置于介电基底上并贯穿堆叠结构，且位于环状通道层的内侧而与p型掺杂区接触。第一栅绝缘层设置于第一栅极与环状通道层之间。第二栅绝缘层设置于第二栅极与环状通道层之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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