北京
国家知识产权局信息显示，深圳真茂佳半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121548081A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，尤其提及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：提供具有外延层的衬底；依次形成JFET层及第一类型掺杂层在外延层上，第一类型掺杂层的表面上定义有元胞区域及总线区域；自第一类型掺杂层的表面延伸形成第二类型掺杂柱，第二类型掺杂柱贯穿第一类型掺杂层及JFET层，且第二类型掺杂柱的底部位于外延层中；刻蚀形成沟槽在第二类型掺杂柱中，其中在沟槽的内壁与第二类型掺杂柱的外壁间留存有第二类型掺杂区，沟槽包括形成于元胞区域的元胞沟槽及形成于总线区域的总线沟槽。本申请具有工艺流程简单，无需像传统的方法需要精确控制注入角度才能形成均匀的第二类型掺杂区的效果。
天眼查资料显示，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息71条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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