北京
国家知识产权局信息显示，苏州晶歌半导体有限公司申请一项名为“PHEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN121531747A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种PHEMT器件，其包括：GaAs衬底；AlGaAs下势垒层，设置于GaAs衬底上；InGaAs沟道层，层叠于AlGaAs下势垒层上；钙钛矿增强层，层叠于InGaAs沟道层上；AlGaAs上势垒层，层叠于钙钛矿增强层上；GaAs欧姆接触层，层叠于AlGaAs上势垒层上。本发明的PHEMT器件及其制作方法至少具有以下优点之一：1、钙钛矿增强层与InGaAs沟道层形成交错排列的能带结构产生能带偏移，进而产生内建电场并强化电子限制；2、钙钛矿增强层能够降低界面位错密度，提升沟道二维电子气迁移率；3、钙钛矿增强层的缺陷钝化作用能够减少界面态密度，抑制载流子散射；4、钙钛矿增强层能够抑制AlGaAs中深能级缺陷，使器件在200°C下保持性能。
天眼查资料显示，苏州晶歌半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1355.6444万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶歌半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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