北京
国家知识产权局信息显示，广东先导微电子科技有限公司申请一项名为“一种低氧化层的碳化硅晶片清洗工艺”的专利，公开号CN121531950A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种低氧化层的碳化硅晶片清洗工艺。该清洗工艺首先将碳化硅晶片浸入有机溶剂中进行超声清洗，随后将碳化硅晶片依次浸入臭氧水溶液、氢氟酸溶液、金属离子脱除液中进行浸洗，最后进行清洗和干燥处理，得到表面洁净且氧化层薄的碳化硅晶片。本申请通过构建“臭氧氧化‑氢氟酸腐蚀‑金属离子脱除液络合”这一复合清洗工序，在高效脱除除碳化硅晶片表面有机污染物、颗粒杂质及金属离子的基础上，显著抑制了碳化硅晶片表面的氧化反应，并同步在晶片表面原位形成钝化防护层，有效延缓后续存储及应用环境中的晶片表面的二次氧化，解决了现有清洗工艺中碳化硅晶片表面洁净度与低氧化层难以兼顾的技术难题。
天眼查资料显示，广东先导微电子科技有限公司，成立于2020年，位于清远市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本59292.16万人民币。通过天眼查大数据分析，广东先导微电子科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息552条，此外企业还拥有行政许可195个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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