北京
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备”的专利，公开号CN121519027A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备。该背面沉积的分气盘包括：匀气腔，其中，所述匀气腔被划分为多个匀气分区组，每一所述匀气分区组包括至少一个匀气分区；多根分气管，其中，每根所述分气管对应一个所述匀气分区组，并分别包括至少一个进气口和至少一个出气口，每一所述进气口连接一种气源，每根所述分气管的所述至少一个出气口分别连接到对应匀气分区组的各所述匀气分区；多个挡片，分别设于各所述分气管的各所述出气口，以将其输出的气体阻挡回对应的匀气分区进行匀气；以及喷淋面板，覆盖所述匀气腔的出气表面，并包括多个出气孔，以分别向待加工晶圆背面的对应区域输出气体。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息479条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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