北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“场效应晶体管的形成方法”的专利，公开号CN121510618A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种场效应晶体管的形成方法，包括：通过光刻工艺进行刻蚀，在第一介质层中形成第一凹槽且使所述凹槽所在区域的臂状栅极结构暴露，第一介质层形成于衬底上且覆盖形成于衬底上的臂状栅极结构，第一凹槽的深度和宽度的比值大于4；在第一凹槽的周侧形成阻挡层；在第一凹槽中形成栅极结构，该栅极结构包括栅极和包覆栅极周侧和底部的栅介质层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖栅极结构；在第一介质层和第二介质层中形成连接层，连接层的底部与臂状栅极结构的顶部接触。通过在栅极结构的周侧形成阻挡层，能够保护栅极结构不会因为套刻误差导致栅介质层被破坏。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2094次，专利信息2708条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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