Navitas 发布第五代碳化硅技术

Navitas（纳微半导体）已宣布推出其第五代 GeneSiC 技术平台。这一高压（HV）碳化硅沟槽辅助平面（TAP）MOSFET 技术，被宣称是较前几代产品的一次重大技术飞跃。

该技术将用于制造 1200V 器件，作为 Navitas 第四代 GeneSiC 平台中超高压（UHV）2300V 和 3300V 技术的补充。

第五代 MOSFET 平台采用了 Navitas 迄今为止最紧凑的 TAP 架构，在源极区域结合了沟槽结构以实现高性能，同时保留了平面栅极的坚固性，从而提升了高压电力电子设备的效率和长期可靠性。

与上一代 1200V 技术相比，第五代平台通过将导通电阻与栅极电荷的优值系数（RDS,ON × QGD FoM）提高了 35%，树立了新的功率转换基准。这一改进大幅降低了开关损耗，使得在严苛的功率级应用中能够实现更冷的运行温度和更高的工作频率。

高速开关性能通过将栅极电荷比（QGD / QGS）改善约 25% 而得到进一步增强。结合稳定的高阈值电压规格（VGS,TH ≥ 3V），该技术可确保防止寄生导通，即使在高噪声环境中也能提供稳健且可预测的栅极驱动。

第五代技术通过优化 RDS(ON) × EOSS 特性来提升动态性能，同时集成“软体二极管”技术，通过最小化电磁干扰（EMI）并确保高速开关周期中的更平稳换向，进一步增强系统稳定性。

该代产品的 AEC-Plus 级认证确保了其在 AI 数据中心、能源及电网基础设施应用中的长期稳定性和耐用性。

关键可靠性基准包括：静态高温高压测试（HTRB、HTGB 和 HTGB-R）时长延长了 3 倍；动态反向偏置（DRB）和动态栅极开关（DGS）测试以代表严苛的快速开关应用任务剖面；以及在 18V 工作电压和 175°C 温度下，推算出的栅极氧化层失效时间超过 100 万年。

该技术还具备增强的宇宙射线抗扰度和低 FIT（故障时间）率，确保在高海拔和高正常运行时间环境下的关键任务可靠性。

Navitas SiC 事业部副总裁兼总经理 Paul Wheeler 表示：“我们的客户正在重新定义 AI 数据中心和能源基础设施中的功率转换边界，而 Navitas 将在每一步与他们并肩前行。我们第五代 GeneSiC 技术的重大技术改进，凸显了 Navitas 致力于在碳化硅 MOSFET 领域交付行业领先的性能和可靠性。”

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