国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为“一种等离子体处理装置及其工作方法”的专利,公开号CN121506830A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种等离子体处理装置及其工作方法,该等离子体处理装置包含:真空反应腔,其内具有下电极组件;直流电源和第一偏置射频电源,两者均与下电极组件电连接;控制器,其用于控制直流电源向下电极组件提供第一脉冲电压,以及控制第一偏置射频电源向下电极组件提供第一偏置射频电压,并且调整所述第一脉冲电压与第一偏置射频电压之间的相位差来改变基片表面等离子体鞘层的电压,其中,第一脉冲电压的频率和第一偏置射频电压的频率一致。其优点是:该装置将直流电源、第一偏置射频电源和控制器相结合,通过控制器控制两者输出的电压的频率一致,以在不引入杂波的情况下获取更加丰富的偏置电压波形,进而实现对基片刻蚀过程的精确控制。
天眼查资料显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司,成立于2004年,位于上海市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析,中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了29家企业,参与招投标项目79次,财产线索方面有商标信息76条,专利信息1641条,此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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