北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“超高压隔离环结构及其制造方法”的专利，公开号CN121510643A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种超高压隔离环结构及其制造方法。该结构由多个高压横向扩散金属氧化物半导体组成。为解决现有技术中，在高电阻率衬底上由结隔离导致的穿通击穿问题，本发明在所述高压横向扩散金属氧化物半导体之间、或者在高压横向扩散金属氧化物半导体与高压电路的器件之间，设置有深沟槽隔离结构。该深沟槽隔离结构填充介电材料，通过物理隔离方式切断了衬底中的漏电路径，从根本上解决了穿通击穿问题，显著提升了高压电路内部的隔离耐压能力和器件可靠性，并能够优化器件面积，适用于1000V及以上的高压集成电路。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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