近日有报道称,美光在HBM4供应上出现了一些问题,导致落后于三星和SK海力士,英伟达可能会对原先规划的订单进行调整,将部分美光的订单转交给三星,三星的份额将从20%升至30%,而美光则相反,从30%降至20%。外界猜测,如果美光的HBM4问题严重,甚至可能被排除在HBM4供应商名单之外。
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据TrendForce报道,近日在公开活动中,美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy驳斥了美光被英伟达边缘化的传言,称这些报道都是“不准确的”,表示美光已经开始大规模生产HBM4,并向客户发货。
按照Mark Murphy说法,实际情况应该是HBM4生产提速,量产时间从第二季度前移至第一季度。同时Mark Murphy还强调,美光的HBM4良品率与预期相符,正在按计划推进,可以提供速率超过11Gbps的产品。
美光的HBM4采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造,为2048-bit接口,每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s,性能比上一代产品提高了60%以上,同时还内置自检(MBIST)功能。与美光的上一代HBM3E产品相比,这次HBM4的功率效率提高了20%以上。
随着英伟达Vera Rubin平台进入量产阶段,三星、SK海力士和美光在HBM4的争夺战也变得愈发激烈。
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