辽宁
近日有报道称，美光在HBM4供应上出现了一些问题，导致落后于三星和SK海力士，英伟达可能会对原先规划的订单进行调整，将部分美光的订单转交给三星，三星的份额将从20%升至30%，而美光则相反，从30%降至20%。外界猜测，如果美光的HBM4问题严重，甚至可能被排除在HBM4供应商名单之外。
据TrendForce报道，近日在公开活动中，美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy驳斥了美光被英伟达边缘化的传言，称这些报道都是“不准确的”，表示美光已经开始大规模生产HBM4，并向客户发货。
按照Mark Murphy说法，实际情况应该是HBM4生产提速，量产时间从第二季度前移至第一季度。同时Mark Murphy还强调，美光的HBM4良品率与预期相符，正在按计划推进，可以提供速率超过11Gbps的产品。
美光的HBM4采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造，为2048-bit接口，每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s，性能比上一代产品提高了60%以上，同时还内置自检（MBIST）功能。与美光的上一代HBM3E产品相比，这次HBM4的功率效率提高了20%以上。
随着英伟达Vera Rubin平台进入量产阶段，三星、SK海力士和美光在HBM4的争夺战也变得愈发激烈。
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