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2月12日，三星电子正式宣布，其业界领先的HBM4内存已开始量产，并已向客户交付商用产品。这一成就不仅开创了行业先河，也将巩固三星在HBM4市场的早期领先地位。
三星电子自豪地表示，通过积极利用其最先进的第六代 10 纳米 (nm) 级 DRAM 工艺 (1c)，公司从量产之初就实现了稳定的良率和业界领先的性能，所有这些都是无缝完成的，无需任何额外的重新设计。
三星电子执行副总裁兼存储器开发负责人黄相俊称：“三星没有沿用传统的成熟设计，而是大胆创新，采用了最先进的制程节点，例如用于HBM4的1c DRAM和4nm逻辑工艺。凭借我们在制程方面的优势和设计优化，我们能够确保巨大的性能提升空间，从而满足客户日益增长的高性能需求。”
据介绍，三星的HBM4显存可提供高达11.7 Gbps的稳定传输速率，相比业界标准的8Gbps提升了约46%，树立了HBM4性能的新标杆。这比其前代产品HBM3E的最高引脚速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能还可以进一步提升至13Gbps，有效缓解随着AI模型规模不断扩大而日益严重的数据瓶颈问题。
此外，与 HBM3E 相比，每个HBM4堆栈的总内存带宽提高了 2.7 倍，最高可达每秒 3.3 太字节 (TB/s)。
三星的HBM4采用的是12层堆叠技术，提供容量从24GB到36GB的HBM4容量。三星还将通过采用16层堆叠技术，将容量选择扩展至最高48GB，以满足客户未来的需求。
为了应对数据I/O引脚数量从1024个增加到2048个所带来的功耗和散热挑战，三星在核心芯片中集成了先进的低功耗设计方案。与HBM3E相比，HBM4通过采用低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，实现了40%的能效提升，同时热阻降低了10%，散热能力提高了30%。
三星表示，其HBM4 为未来的数据中心环境带来卓越的性能、能源效率和高可靠性，使客户能够最大限度地提高 GPU 吞吐量并有效管理其总体拥有成本 (TCO)。
此外，三星还致力于通过其全面的制造资源（包括业内最大的DRAM产能之一和专用基础设施）推进其HBM路线图，以确保具有弹性的供应链，以满足预计的HBM4需求激增。
特别是对于HBM4及后续产品来说，还将引入逻辑制程的基底芯粒，能够满足客户定制化的需求。三星表示，其晶圆代工和存储器业务之间紧密整合的设计技术协同优化（DTCO）机制，可以确保最高的质量和良率标准。此外，公司在先进封装领域拥有丰富的内部专业知识，从而简化了生产流程，缩短了交货周期。
三星还计划扩大与主要合作伙伴的技术合作范围，这是基于与全球 GPU 制造商和专注于下一代 ASIC 开发的超大规模数据中心运营商的密切讨论而做出的。
三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长3倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。
编辑：芯智讯-浪客剑
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