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财联社2月12日讯(编辑 周子意)三星电子公司周四(2月12日)表示,已开始向客户交付其最新款高带宽存储芯片HBM4。这家韩国芯片制造商正试图在关键半导体竞赛中赶超竞争对手,这是一次关键突破。
三星电子表示,它是首家能够大规模生产并交付HBM4芯片的公司。
至于下一代HBM4E,其样品预计将于2026年下半年开始提供,而定制版HBM4E样品将于2027年开始交付给客户。
三星执行副总裁兼存储器开发部门负责人Sang Joon Hwang表示,“三星未沿用传统的成熟设计,而是大胆采用了最先进的制程工艺”。
性能大幅超越
三星电子的HBM4在性能上实现了对行业标准的大幅超越,已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会(JEDEC)设定的标准,被选入用于英伟达下一代人工智能平台。
其HBM4芯片使用其1c工艺(第六代10纳米级DRAM技术)制造DRAM单元芯片,同时使用4纳米工艺制造基板芯片。
基于这些技术,三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7 Gbps的数据处理速度,超过了联合电子器件工程委员会规定的8 Gbps标准。
据此前报道,英伟达预计将在即将举行的GTC 2026大会上展示其下一代搭载三星HBM4的人工智能计算平台Vera Rubin。该大会定于3月16日至19日举行。
三星此次量产时间的落地,使三星在与SK海力士等竞争对手的角逐中占得先机。不过,也有业内消息人士称,SK海力士可能会提供更大的供应量,因为人们普遍认为其生产稳定性更高。
也有人提出质疑该公司在产量提升时如何确保生产良率,但三星电子首席技术官Song Jai-hyuk对此表示有信心,“很难用数字来描述(良率),但我可以说现状非常好,”他还补充道,客户对芯片的性能“非常满意”。
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