北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121510872A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述制备方法包括如下步骤：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底、沟槽隔离结构、氧化层和栅极结构，所述沟槽隔离结构设置于所述衬底内且上部伸出所述衬底，所述氧化层形成于所述衬底的表面，所述栅极结构形成于所述氧化层的表面；在所述氧化层的表面和所述沟槽隔离结构的表面沉积导热层；在所述导热层的表面和所述栅极结构的表面涂覆光刻胶层，对所述光刻胶层图案化处理使得所述光刻胶层暴露非晶化离子注入区；对所述非晶化离子注入区进行非晶化离子注入。本申请制备方法可将非晶化离子注入时光刻胶层中的热量及时导出，减少光刻胶层的热量累积，减少光刻胶层的飞溅或崩塌。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1627条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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