三星表示内存强劲需求料持续到2027年，高“设备”含量的科创半导体ETF（588170）近1周规模增长2.05亿元

截至2月12日10:16，上证科创板半导体材料设备主题指数下跌0.49%。成分股方面涨跌互现，欧莱新材领涨11.69%，晶升股份上涨1.78%，神工股份上涨1.27%；耐科装备领跌3.25%，中微公司下跌1.83%，兴福电子下跌1.78%。科创半导体ETF（588170）下跌0.51%，最新报价1.75元。

截至2月12日10:18，中证半导体材料设备主题指数下跌0.46%。成分股方面涨跌互现，江丰电子领涨5.82%，广立微上涨3.29%，金海通上涨2.94%；中微公司领跌2.09%，华峰测控下跌1.83%，中科飞测下跌1.33%。半导体设备ETF华夏（562590）下跌0.47%，最新报价1.89元。

流动性方面，科创半导体ETF盘中换手2.6%，成交2.12亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手1.75%，成交4763.55万元。

规模方面，科创半导体ETF近1周规模增长2.05亿元，实现显著增长，新增规模领先同类；半导体设备ETF华夏最新规模达27.06亿元。

资金流入方面，科创半导体ETF最新资金净流入1058.84万元。拉长时间看，近5个交易日内有3日资金净流入，合计“吸金”1.21亿元，日均净流入达2412.91万元；半导体设备ETF华夏最新资金净流出2666.79万元。拉长时间看，近23个交易日内有16日资金净流入，合计“吸金”12.46亿元，日均净流入达5418.13万元。

消息面上，三星预计，市场对内存芯片的强劲需求不仅将持续今年全年，而且还将持续到明年，因为人工智能推动了强劲的需求。三星还重点强调，公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。据报道，三星计划在本月晚些时候开始HBM4的大规模生产并将其交付给主要客户。其HBM4芯片使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，同时使用4纳米工艺制造基板芯片。基于这些技术，三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。

银河证券指出，1月存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%～70%。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年中。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。