SK海力士开发新技术降低NAND制造成本；三星研发3D堆叠结构HBM；英特尔ZAM内存单片容量达512GB

【热点速读】

1、消息称SK海力士正开发新技术AIP以降低NAND制造成本

2、三星电子：正在开发 zHBM，其核心是将HBM堆叠成 3D 结构

3、英特尔首次展示ZAM内存原型：功耗降低一半，单片容量可达512GB

4、联发科：1月营收同比、环比均下降超8%，Q1手机业务营收将明显下滑

5、2月上旬韩国半导体出口同比增长137.6%，达67.3亿美元

1、消息称SK海力士正开发新技术AIP以降低NAND制造成本

据韩媒ZDNET Korea报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。

据悉，为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来。SK海力士最新一代321层NAND闪存也采用了“三层堆叠”工艺，该工艺包含三个蚀刻步骤。由于需要执行三次蚀刻过程，这种方法虽有利于NAND制造的稳定性，但成本和生产效率不高。

SK海力士此次开发研究的AIP技术可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻，旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产，预计从下一代NAND闪存（例如V11）开始，HARC工艺的数量和成本将显著降低。

2、三星电子：正在开发 zHBM，其核心是将HBM堆叠成 3D 结构

据三星电子首席技术官宋载赫透露，客户对三星的 HBM4 产品表示满意，并补充称，公司将继续努力，在下一代 HBM4E 和 HBM5 产品领域占据领先地位。

三星正准备开发增强型内存芯片，以满足人工智能领域对高性能产品的需求。随着人工智能从代理人工智能向物理人工智能转变，三星目前正在研发能够降低内存带宽限制的技术，并已获得测试结果，表明在减少 I/O（输入/输出）数量的同时，可以降低功耗。

他表示，三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。

3、英特尔首次展示ZAM内存原型：功耗降低一半，单片容量可达512GB

近日，英特尔首次公开其与软银子公司Saimemory共同研发的“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型，采用错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。

英特尔称，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。据悉，其功耗相比现有方案降低40% 至 50%，单芯片存储容量最高可达 512GB。

4、联发科：1月营收同比、环比均下降超8%，Q1手机业务营收将明显下滑

联发科1月合并营收469.77亿元（新台币，下同），环比减少8.37%，同比减少8.15%。联发科此前预估，以美元兑台币1比31.2计算，今年第一季营收在1,412亿元至1,502亿元，环比持平至减少6%，同比减少8%至2%。

联发科表示，2026年第一季手机业务营收将会明显下滑，在存储器及整体BOM表成本上扬的压力下，智能手机终端需求将受到冲击；智能设备平台产品线第一季营收将环比、同比成长，主要来自通讯产品、电视及运算设备等产品需求从淡季回温；第一季电源管理IC营收维持持平。全年来看，预计2026年营运将持续受惠于AI产业大趋势而成长。

5、2月上旬韩国半导体出口同比增长137.6%，达67.3亿美元

受半导体强劲需求的推动，韩国2月份前10天的出口额比上年同期增长44.4%，达213.9亿美元。

其中，半导体出口额同比增长137.6%，达到67.3亿美元，占出口总额的31.5%，比去年同期增长 12.3 个百分点。

按目的地划分，韩国对中国的出口额同比增长54.1%，达到 45.5 亿美元；对美国的出口额增长 38.5%，达到 36 亿美元。

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