北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线”的专利，公开号CN121510672A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明题为“标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线”。本文提供了在标准单位单元内形成半导体装置的技术，该标准单位单元具有与背侧金属迹线偏离的顶侧金属迹线。设置堆叠式晶体管，使得一个装置的源极或漏极区域垂直位于另一个装置的源极或漏极区域之上。可以形成前侧接触部和背侧接触部两者来接触对应源极或漏极区域的顶表面或底表面。顶侧金属迹线用于向顶部半导体装置的各种晶体管元件提供信号和功率，而背侧金属迹线用于向底部半导体装置的各种晶体管元件提供信号和功率。顶侧迹线与背侧迹线偏离，使得一个顶侧迹线沿标准单位单元的一个边界对齐，并且一个背侧迹线沿相对的标准单位单元边界对齐。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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