北京
国家知识产权局信息显示，希力微电子（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种超结结构参数的优化方法、装置、终端设备及存储介质”的专利，公开号CN121480419A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种超结结构参数的优化方法、装置、终端设备及存储介质，所述方法包括建立超结结构中各个物理参数的温度依赖模型；其中，所述温度依赖模型用于描述物理参数随温度的变化规律；根据平面结理论和雪崩击穿原理建立约束条件；其中，所述约束条件包括碰撞电离积分击穿条件和缓冲层边界条件；基于超结结构的设计目标获取目标信息；其中，所述目标信息包括击穿电压、深宽比和温度；根据所述温度依赖模型和所述约束条件求解在所述目标信息下超结结构的性能参数优化值；其中，所述性能参数包括耗尽层厚度、掺杂浓度和比导通电阻。本发明可以在更大的温度范围内实现对超结结构性能参数的优化计算。
天眼查资料显示，希力微电子（深圳）股份有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，希力微电子（深圳）股份有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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