高盛重磅报告：十五年来最严重存储芯片短缺正在逼近，即便消费端需求崩塌也无法阻止

高盛警告，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。

据追风交易台信息，高盛在2月8日的报告中表示，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。更重要的是，即使在智能手机和PC需求大幅下滑的极端情景下，强劲的服务器需求仍能吸收冲击，维持市场紧张格局。

然而令市场意外的是，高盛在发布这份看多存储器行业的报告同时，却下调了美光评级至中性，目标价235美元，理由是"大部分利好已被价格消化"。对投资者而言，这意味着存储器行业景气度确定性强，但个股估值分化加剧，三星电子、SK海力士等标的更具配置价值。

DRAM供应缺口创15年最严重水平

高盛大幅上调了DRAM供应短缺预期。

最新预测显示，2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。

驱动这一紧张局面的核心因素在于服务器需求的爆发式增长。

高盛将2026年/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求预期上调6%/10%，预计这两年的增长率将分别达到39%和22%。如果将HBM计算在内，服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53%和57%，服务器已成为DRAM需求最重要的驱动力。

与此形成鲜明对比的是，高盛下调了PC和智能手机的DRAM需求预期。

移动DRAM需求增速预计将从过去几年的高两位数大幅放缓至2026年的7%，PC DRAM需求增速也仅为5%。高盛将2026年/2027年移动DRAM需求预期下调7%/7%，PC DRAM需求预期下调3%/5%，主要反映全球团队下调的出货量预测以及因存储器成本快速上涨导致的单机内容下调。

供应端方面，高盛预计2026年/2027年全球DRAM供应增长21%/19%，较之前预期仅小幅上调。

核心原因在于主要供应商的洁净室空间有限，短中期内难有大幅产能增长。只有三星P4厂有足够灵活性增加新产能，而SK海力士的M15X洁净室空间主要用于HBM。三星P5和海力士龙仁工厂可能要到2027年下半年才能量产，这意味着在此之前供应上行空间有限。

NAND市场迎来史上最大短缺之一

NAND市场的供需格局同样大幅收紧。高盛预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%，高于此前预期的2.5%/1.2%。这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一。

企业级SSD需求的强劲增长是主要推动力。高盛将2026年/2027年企业级SSD需求预期上调14%/14%，预计增长率将达到58%/23%，在全球NAND需求中的占比将升至36%/39%。

分析师认为，英伟达在CES 2026上推出的ICMSP（推理上下文存储平台）架构将创造大量新增NAND需求。

基于每个GPU增加16TB存储空间、每个BlueField DPU配备512GB板载SSD的配置，高盛估算仅Rubin平台就将在2026年/2027年带来29EB/79EB的增量NAND需求，占总需求的3%/6%。这一预测与SanDisk关于2027年ICMSP将带来75-100EB新增需求的评论一致。

移动和PC端NAND需求则显著疲软。

高盛将2026年/2027年移动NAND需求预期下调6%/7%，预计2026年移动NAND需求将首次出现零增长。PC端客户SSD需求预期也下调1%/1%，2026年同样预计零增长，均为历史最低水平。

供应纪律保持良好，高盛预计2026年/2027年全球NAND供应增长18%/18%。主要供应商将重点放在DRAM资本支出上，NAND方面更注重技术迁移而非晶圆产能增加。有意义的NAND晶圆产能增加可能仅限于三星P4厂和铠侠北上厂，但两家公司都将继续专注于向更高层数3D NAND迁移。

HBM市场规模上调至750亿美元

高盛将2026年/2027年HBM TAM（总体可寻址市场）预期上调8%/9%，至540亿美元/750亿美元（此前为500亿美元/690亿美元）。上调主要反映GPU和ASIC的HBM需求改善。

特别值得关注的是ASIC需求加速。

与全球团队对ASIC在服务器中加速应用的观点一致，高盛将2026年/2027年ASIC的HBM需求分别上调27%/14%，而GPU的HBM需求仅上调1%/5%。预计ASIC将在2026年/2027年占HBM需求的33%/36%（此前预期为28%/34%）。

供需方面，尽管高盛上调了行业HBM产能预期，主要由于三星和SK海力士提高产能扩张速度，但由于需求上调幅度更大，预计2026年/2027年HBM行业供不应求幅度将达到5.1%/4.0%，远高于此前预测的0.7%/1.6%。

高盛预计到2026年底，行业HBM产能将达到约51.5万片/月（此前预期48.5万片/月），2027年底达到59.5万片/月（此前预期56.5万片/月）。三星HBM业务在去年下降15%的低基数上，2026年预计增长157%，收入将接近150亿美元。SK海力士在去年增长约116%后，2026年增长将更为温和，但仍将保持约52%的市场份额领先地位。

BOM成本分析：即使极端情景下供需仍紧张

高盛进行了详细的BOM（物料清单）成本分析，评估存储器成本负担的上升及其对需求的潜在影响。

对于智能手机，到2026年三季度，iPhone的DRAM和NAND成本预计将达到总BOM的约23%，为2010年以来最高水平，而2025年三季度为10%。三星Galaxy S系列的存储器成本占比预计将达到约29%，相比2025年三季度的13%大幅上升。

对于PC，以戴尔XPS系列为样本，存储器成本预计到2026年三季度将达到总BOM的17%，而2025年三季度为7%。

然而关键的是，即使在高度负面的情景下——智能手机出货量同比下降11%（基准情况为-6%）、单机DRAM容量增长仅9%（基准情况为+14%）、PC出货量下降10%（基准情况为-5%）、单机DRAM容量增长仅5%（基准情况为+10%）——2026年DRAM需求增长仍能达到21%，行业供不应求仍有1.7%（基准情况为4.9%）。

这一分析证实，虽然更高的存储器成本可能导致PC/智能手机需求破坏和DRAM内容采用率降低，但鉴于今年预期的显著供应短缺，即使在高度负面情景下，DRAM行业供需仍将保持紧张。

投资建议：三星和海力士更具吸引力

高盛重申对三星电子、SK海力士、SanDisk、东京电子、Ulvac和Disco的买入评级。

三星电子（买入，目标价20.5万韩元）因其在传统存储器领域的超大敞口而成为关键受益者。

高盛预计2026年传统DRAM定价将同比上涨约176-184%，运营利润率将达到71%/66%（2026年/2027年），接近历史最高水平。加上HBM业务的显著改善，预计2026年营业利润将同比增长逾四倍，达到180万亿韩元以上，ROE将接近30%，为过去20年未见水平。当前股价对应2026年市盈率7.4倍、市净率1.9倍。

SK海力士（买入，目标价120万韩元）预计将实现空前的利润率水平——2026年DRAM运营利润率接近80%、NAND超过40%。凭借在AI存储器领域的稳固领先地位，公司ROE预计将超过70%，为有史以来最高水平。

令市场意外的是，高盛将美光评级下调至中性，目标价235美元。理由是"大部分利好已被价格消化"。

尽管高盛认可美光在HBM产品路线图上的持续执行能力，预计其将占据快速增长、高利润率市场约20%份额，但认为当前估值水平下风险回报大致平衡，且2026年HBM定价可能因供应商增加（如三星）而回调。

对于设备股，高盛强调东京电子（买入，目标价4.3万日元）在领先DRAM制造工具中拥有相对较高市场份额，涵盖EUV涂胶/显影、电容蚀刻、批量沉积和超临界干法清洗工具。

在中小型股中，重点推荐Ulvac（买入，目标价8400日元）作为DRAM（特别是三星）资本支出的关键受益者。后端设备方面，继续看好Disco（买入，目标价6.8万日元），该公司在HBM研磨和切割工具中占据主导市场份额。