北京
国家知识产权局信息显示，山东有研艾斯半导体材料有限公司申请一项名为“一种优化硅晶圆边缘粗糙度的加工方法”的专利，公开号CN121468293A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种优化硅晶圆边缘粗糙度的加工方法，包括以下步骤：第一步：对线切割后硅晶圆进行初步筛选，要求硅晶圆厚度865‑875μm，硅晶圆直径301.3‑301.9mm；第二步：进行一次倒角粗加工，使用800目砂轮，倒角角度为21‑22°，目标直径为300.5mm，砂轮形状为R型；第三步：双面研磨加工，目标厚度803μm，加工完成使用刷片机清洗；第四步：进行二次倒角精加工，此步骤分为两次倒角，首先是2500目砂轮加工，目标直径300.05mm，倒角角度21‑22°，其次3000目砂轮加工，目标直径300mm，倒角角度21‑22°，倒角线速度为20‑25mm/s。本发明的加工方法通过合理调节二次倒角砂轮粒径，选用2500目和3000目砂轮，结合最优的倒角加工线速度，明显优化倒角边缘的粗糙度。
天眼查资料显示，山东有研艾斯半导体材料有限公司，成立于2020年，位于德州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本274180.16万人民币。通过天眼查大数据分析，山东有研艾斯半导体材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目427次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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