从去年第三季度开始,全球存储芯片市场迎来“涨价潮”,两大主要产品类别DRAM(动态随机存储器)与NAND Flash(闪存)现货价格持续上涨。TrendForce集邦咨询预测,2026年第一季度NAND闪存产品合约价格预计环比上涨55%-60%,通用型DRAM(即非HBM)合约价格将环比上涨90%-95%,高于此前预测的33%-38%、55%-60%。
有业内人士分析认为,这波涨价是人工智能(AI)浪潮引发的结构性供需失衡,全球大型科技公司对AI基础设施的大规模投资推动对HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)、高密度DDR5及企业级固态硬盘(eSSD)的需求骤增,头部厂商将大部分产能转向高附加值产品,挤压了传统型存储供应,造成“高端抢货、中低端紧缺”局面。消费电子市场库存去化完成,个人电脑、智能手机出货量同步复苏,进一步加剧需求压力。
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简单介绍一下,存储芯片是全球芯片市场比重最大的产品之一,按断电后数据是否会丢失可分为两类,一是易失性存储芯片(RAM,即随机存储内存),由于具有读写速度快的优势,主要用于电脑和手机的内存,包括SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存储器)。
二是非易失性存储芯片(NVM,即只读内存),特点是只能读出事先存储的数据,且断电不丢失数据,主要应用于存储卡、U盘、SSD固态硬盘、移动终端的内部嵌入式存储器等,包括ROM(只读存储器)、Flash(闪存,NAND FLASH、NOR FLASH)。
目前全球存储芯片头部厂商有三星电子(Samsung)、SK海力士(SK hynix)、美光(Micron)、铠侠(Kioxia)、闪迪(SanDisk)等。由于存储芯片价格上涨,两家韩国供应商在2025年都交出了非常靓丽的成绩单。
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三星电子实现销售额333.6万亿韩元,同比增加10.9%,创下自成立以来最高值;营业利润43.6万亿韩元,净利润45.2万亿韩元,同比分别增加33.2%、31.2%。其中,第四季度销售额同比增加24%至93.8万亿韩元,刷新单季历史纪录;营业利润同比大涨209.2%,达到创纪录的20.1万亿韩元。【注:按当前汇率,1万亿韩元等于47.9亿元人民币】
存储芯片业务是推动三星电子业绩高增的引擎,DS部门(三星电子半导体业务的核心载体,涵盖存储、系统 LSI、晶圆代工三大板块)2025年第四季度营收增长46.2%至44万亿韩元,营业利润暴涨465.5%至16.4万亿韩元(全年创造24.9万亿韩元)。其中,存储业务营收达到37.1万亿韩元,同比增长61.3%;全年实现营收104.1万亿韩元,同比增长23.2%。
2025年第四季度,三星电子已实现HBM4小批量试产,计划今年2月正式大规模量产交付,包括业界领先的11.7Gbps SKU。同时继续拓展人工智能相关产品的销售,包括高密度DDR5、SOCAMM2、GDDR7等。聚焦高性能TLC固态硬盘销售规模扩大以满足AI KV(键值)固态硬盘需求。
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SK海力士的表现更为惊艳,2025年实现营收97.1万亿韩元(约合人民币4651亿元),同比增长47%,再创历史新高。营业利润为47.2万亿韩元,同比增长101%,首度超越三星电子。净利润为42.9万亿韩元,成功扭亏为盈。营业利润率为49%(刷新历史纪录),净利润率为44%(相比之下三星电子只有13.5%)。
作为全球HBM“一哥”(2013年率先量产),SK海力士2025年HBM收入同比增长1倍以上,3月实现全球首批HBM4样品出货,9月率先完成量产准备,第四季度便再次创下季度历史最高业绩,收入32.8万亿韩元,营业利润19.2万亿韩元,同比增长66.1%、137.2%;净利润为15.2万亿韩元;营业利润率高达58%。
作为全球唯一可以同时稳定供应HBM3E和HBM4的厂商,SK海力士已成功拿下英伟达三分之二的HBM订单。同时深化“定制HBM(Custom HBM)”合作的方式构建差异化优势,以巩固其在HBM领域的技术领先地位。
今年2月份,SK海力士将提前启动忠清北道清州市M15X工厂的HBM量产,计划年底将总月产能提升至25万片。年初的时候,公司还宣布将投资19万亿韩元建设面向HBM需求的先进封装后端晶圆厂P&T7,占地面积23.14万平方米,计划4月开工建设,预计明年底竣工。其将与M15X DRAM 前端晶圆厂构成有机整体,确保中长期稳定的生产能力。
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