北京
国家知识产权局信息显示，成都天一晶能半导体有限公司取得一项名为“一种生长碳化硅单晶的热场结构”的专利，授权公告号CN223866832U，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种生长碳化硅单晶的热场结构，包括保温座体、侧壁加热机构、底部加热机构，保温座体的内部设置有坩埚，所述保温座体与坩埚的侧壁之间设置有侧壁加热机构，且保温座体与坩埚的底部之间设置有电阻式加热的底部加热机构；侧壁加热机构包括从上至下依次设置的电导率不同的若干段感应加热单元，且保温座体的外侧对应设置有感应线圈。本实用新型通过侧壁加热机构与底部加热机构协同扩大了坩埚内部液体的轴向温度梯度的调控范围；并且通过电阻式加热的底部加热机构避免趋肤效应导致的底部加热不充分问题，使坩埚底部加热充分且均匀，实现坩埚内部液体的径向温度梯度减小，使晶体应力减小，实现了晶体高质量生长，具有较好的实用性。
天眼查资料显示，成都天一晶能半导体有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本676.3937万人民币。通过天眼查大数据分析，成都天一晶能半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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