北京
国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“薄膜沉积方法”的专利，公开号CN121428522A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种薄膜沉积方法，包括：将承载晶圆的晶舟置于反应腔中；在第一温度下，在晶圆的表面上沉积第一子层；第一子层还沉积在晶舟的表面，第一子层的位于晶圆的表面的部分与位于晶舟的表面的部分相连接；第一子层的材料与晶舟的材料之间的热膨胀系数差异大于第一子层的材料与晶圆的材料之间的热膨胀系数差异；停止通入反应气体，控制晶舟旋转，将晶舟的温度冷却至第二温度，第一温度和第二温度的差值大于等于400℃；在第一温度下，在第一子层的表面沉积第二子层；第一子层和第二子层构成目标膜层，第一子层和第二子层的厚度之和为目标膜层的预设厚度。如此能够降低晶圆表面的缺陷，提升产品良率。
天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1735次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息791条，此外企业还拥有行政许可43个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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