北京
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国家知识产权局信息显示，中国电子科技集团公司信息科学研究院申请一项名为“一种半导体含能器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121419634A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体含能器件结构及其制备方法，该结构包括基座、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于基座之上；加热电极设置于热激发含能层之上；含能材料层覆盖于热激发含能层和加热电极之上；热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和填充于微纳孔隙的强氧化剂结晶物；加热电极包括输入引线区以及与输入引线区连接的高阻热激发区，输入引线区呈镂空状。该结构中热激发含能层与加热电极在微观层面直接紧密接触，改善从电热激发至引爆响应时间过长的问题，在引爆响应方面具备显著的优点；加热电极的输入引线区设置呈镂空状，使得在全部加热电极引线下方区域，填充形成的含能材料更加均匀，进而提升改善器件的整体性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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