北京
国家知识产权局信息显示，上海新傲科技股份有限公司申请一项名为“具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法”的专利，公开号CN121419614A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种具有不连续顶层硅的SOI结构及其形成方法。所述具有不连续顶层硅的SOI结构的形成方法包括如下步骤：形成顶部结构，顶部结构包括硅本体以及凸出设置在硅本体的表面上的多个硅柱，硅本体包括沿第一方向相对分布的正面和背面，多个硅柱在硅本体的正面上沿第二方向间隔排布；形成底部结构，底部结构包括底层硅以及覆盖于底层硅表面上的埋氧化层；以硅柱朝向埋氧化层的方向键合顶部结构和底部结构，形成键合结构；至少去除硅本体，以剩余的多个硅柱共同作为顶层硅，形成包括底层硅、埋氧化层和顶层硅的SOI结构。本发明降低了半导体生产成本，并提高了具有不连续顶层硅的SOI结构的制造效率，有利于实现规模化生产。
天眼查资料显示，上海新傲科技股份有限公司，成立于2001年，位于上海市，是一家以从事化学纤维制造业为主的企业。企业注册资本31500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新傲科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目92次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息255条，此外企业还拥有行政许可158个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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