北京
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2026 年 1 月 25 日，三星电子（Samsung Electronics）已大幅提高其 NAND 闪存存储芯片的合约供货价格，在 2026 年第一季度同比上涨约 100%。
这一涨幅远超此前市场预期，并显著超过此前 DRAM 内存价格的上涨幅度。
该定价调整源自去年的供应合同谈判，此举被视为当前全球存储芯片供需紧张环境下的重要标志性事件。
不仅三星，业内其他主要 NAND 厂商也在推动价格上行。市场报告指出，包括 SK 海力士（SK Hynix）在内的厂商已采取类似价格上涨策略，同时如SanDisk（西部数据旗下）等厂商也计划将企业级 3D NAND 价格提高约 100%。
消费级 SSD、企业级存储阵列成本显著提高，部分数据中心及 OEM 厂商正在重新调整采购策略或推迟扩容计划。
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