北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121368165A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括在衬底上形成外延层，在外延层的远离衬底的表面上形成硬掩模，硬掩模包括第一开槽，第一开槽暴露外延层的远离衬底的表面的至少部分，在第一开槽内填充半导体部，半导体部在第一方向的尺寸小于或等于0.5μm；第一方向平行于衬底。本申请提供了一种半导体结构的制备方法，用于形成品质良好的小尺寸的线条，避免了制备小尺寸线条时，由于小尺寸的光刻胶容易倒塌或者形貌异常导致最终制备得到的线条的相貌异常或者尺寸异常。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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