通富微电步步为赢

富凯摘要：在科技算力竞争延伸至存力领域、内存条价格狂飙的当下，通富微电迎来发展契机。

作者|川扇假

在科技飞速发展的当下，算力竞争的烽火已蔓延至存力领域，一场激烈的存力角逐就此拉开帷幕。近几个月以来，内存条市场价格一路狂飙，数倍的涨幅令人咋舌。业内甚至戏称，囤内存条的增值潜力远超囤黄金。

当然，这不过是行业内的一句玩笑话。毕竟，黄金作为传统避险资产，其大规模易开采金矿的发现概率微乎其微，而内存市场则截然不同，其扩产速度虽然不快，但两三年时间必将带来翻天覆地变化。

在此背景下，通富微电近期公布了一项44亿元的定增计划，其中就包括提升存储芯片封测产能，待项目建成，年新增存储芯片封测产能将达84.96万片。在这一利好消息刺激下，通富微电股价接连上扬，一跃成为存储芯片概念股中的领头羊。

存储封测赛道大赢家

2026年初，全球存储市场涨声一片，一条256GB服务器级DDR5内存价格冲破4.5万元关口，相较于2025年下半年，涨幅超300%；消费级16GB DDR5笔记本内存条价格从380元猛蹿至千元以上。

这股由AI算力需求点燃的涨价浪潮，正以“蝴蝶效应”重构半导体产业链格局，而通富微电作为全球存储封测领域的领军企业，自然不会错过这波行业上行契机。

通富微电是国内半导体封装测试行业的头部企业之一，在全球封测市场位居第四、国内排名第二，为全球客户呈上从设计仿真、圆片中测，到封装、成品测试的全流程服务。作为国内率先达成7nm/5nm Chiplet封装量产的企业之一，通富微电与AMD高端CPU/GPU封测订单深度绑定，其终端应用覆盖手机、汽车、AI服务器等领域，其中集成电路封测业务在营收中的占比高达96%，业务聚焦程度极高。

通富微电在2026年开年便抛出一份规模高达44亿元的定向增发计划，资金将用于提升存储、汽车、晶圆级和高性能计算封测产能，并补充流动资金。其中，存储封测项目投资8.88亿元，预计新增年产能84.96万片。公司称，此次募投项目顺应国产替代与技术升级大势，可缓解产能压力，提升高端封测能力。

对于这份定增计划，市场给予了积极回应。通富微电在1月16日强势涨停，单日成交金额达80.14亿元，这反映出资金对其技术落地与扩产前景的高度看好。

一方面，存储芯片制造商迎来难得的盈利窗口期，在市场需求急剧增长的背景下，产能已趋饱和，新建一条存储生产线需两年以上时间，不少老牌内存巨头并无扩产计划，妄图坐享供需失衡带来的红利，却忽视了后来者的奋起直追。

另一方面，通富微电作为内存巨头的封测合作伙伴，其大尺寸封装量产技术取得重大突破，在存储芯片领域，其技术核心在于高堆叠封装能力，通富微电已实现多层堆叠NAND闪存与LPDDR内存的稳定量产，还在国内率先完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发，具备扩大存储芯片产能的深厚技术积淀。

在市场层面，进入2026年，内存价格的上涨态势并未减弱，无论是DDR5、DDR4还是DDR3，价格均持续上扬。众多研报对此展开分析，认为内存价格的上涨趋势在短期内难以扭转。

存储大厂为追求更高利润，将产能从DDR4转向HBM和DDR5，这使得DDR4供应缺口急剧放大，而需求端仍有不小的规模，尤其是工业自动化、医疗设备、工控机等领域因认证周期较长，仍依赖DDR4平台，这种供需失衡状况导致DDR4价格大幅飙升，甚至出现价格倒挂现象。

尽管近期多家国内存储领域企业陆续公布扩产计划，但由于产能释放需要一定时间周期，内存紧缺的局面还会持续一段时间，而转机则取决于内存产业链的国产替代浪潮能否成功承接DDR4、DDR3需求，以及产能何时释放。

国产替代浪潮下的业绩腾飞

在半导体国产替代的汹涌浪潮推动下，通富微电近年来业绩大放异彩。作为国内集成电路封测行业的领军企业，通富微电近年来业绩不仅展现出显著的复苏态势，更实现了结构优化升级。

数据显示，通富微电营收于2020年成功突破百亿元大关，不过受全球半导体周期下行冲击，此后营收增速有所趋缓。尤其是2023年，通富微电虽维持了营收增长，但净利润却大幅下滑66%。

然而，自2023年起，半导体行业景气度逐步回升，叠加国产替代进程加速推进，通富微电顺势驶入高增长快车道。2024年，公司营收达238.82亿元，同比增长7.24%；净利润6.78亿元，同比暴增300%，业绩表现极为亮眼。

步入2025年，通富微电的业绩延续攀升态势。2025年前三季度，公司营收201.16亿元，同比增长17.77%；归母净利润8.60亿元，同比增长55.74%。其中，第三季度单季净利润4.48亿元，环比二季度增长38.8%，强劲的增长动能尽显无遗。

从客户构成来看，AMD订单在通富微电收入中仍占据主导地位，占比超80%，但值得一提的是，通富微电已成功拓展客户版图，覆盖了英伟达、高通等国际行业巨头，以及长江存储、长鑫存储等国内领军企业，客户多元化战略有效降低了经营风险。

在技术领域，通富微电双管齐下。一方面，大力推进先进封装技术的预先研发，另一方面，积极布局存储芯片赛道。针对智能手机与平板电脑市场，通富微电开发超薄FCBGA封装技术，通过高堆叠3D NAND封装技术，深度布局服务器与数据中心领域。

当前，制约通富微电发展的关键因素并非客户与技术，而是产能瓶颈。通富微电的南通工厂产能已趋饱和，处于满负荷运转状态，面对国内半导体行业周期上行的大趋势，以及国家政策对半导体和芯片产业的大力扶持，通富微电必然要通过产能扩张，推动技术实现产业化落地与规模化发展。

因此，随着通富微电定增计划的出炉，为公司开辟了新的业绩增长空间与未来想象空间，据通富微电介绍，此次定增重点聚焦于存储芯片封测、车载芯片封测、晶圆级封测以及面向高性能计算与通信芯片的封测能力布局，在扩充产能规模的同时，优化产品与工艺结构，以更好地匹配下游芯片高算力、高可靠性、高集成度的发展趋势。

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