北京
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法”的专利，公开号CN121335124A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法。该制造方法包括：提供衬底。于所述衬底的一侧形成晶体管结构。于所述衬底背离所述晶体管结构的一侧执行背面减薄工艺。于所述衬底背离所述晶体管结构的一侧形成第一型集电区。将注入挡片置于所述第一型集电区背离所述衬底的一侧；所述注入挡片具有多个相互间隔且呈阵列分布的注入通孔。基于所述注入挡片的多个所述注入通孔，于所述第一型集电区内形成多个相互间隔且呈阵列分布的第二型集电区；各所述第二型集电区的位置与各所述注入通孔的位置一一对应。移除所述注入挡片。本申请能够有效简化工艺流程并避免晶圆碎片问题，在提高产品良率的同时降低工艺成本。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息505条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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