北京
国家知识产权局信息显示，河南新国玺半导体材料有限公司申请一项名为“一种高纯度铜的强化浸出方法”的专利，公开号CN121320742A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明申请涉及高纯度铜制备领域，尤其是涉及一种通过甲磺酸强化浸出复杂原料中杂质的方法，具体为一种高纯度铜的强化浸出方法，其包括在浸出液中引入甲磺酸作为助剂，结合络合反应提升难溶杂质溶解速率，并优化温度、pH值及搅拌速度等参数以强化动力学过程。同时，通过动态监测铜离子浓度变化，采用自适应反馈控制算法调整甲磺酸添加量，实现精准调控。此外，利用多级过滤系统梯度分离杂质，结合电化学阻抗谱评估导电性能和杂质残留，动态优化工艺参数，降低后续电解能耗。本申请能够显著提高杂质浸出效率，减少精炼负担，满足高端应用需求，兼具经济性和环保性，为行业可持续发展提供新方案。
天眼查资料显示，河南新国玺半导体材料有限公司，成立于2023年，位于平顶山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，河南新国玺半导体材料有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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