北京
国家知识产权局信息显示，苏州镓港半导体有限公司申请一项名为“一种P-GaN栅增强型GaN HEMT的制备方法”的专利，公开号CN121335134A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种P‑GaN栅增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长成核层、缓存层、沟道层、势垒层和P型GaN层；通过光刻和刻蚀工艺，形成器件的有源区隔离；光刻出源极和漏极区域，刻蚀去除该区域的P型GaN层，沉积并退火形成N型欧姆接触；光刻出P型欧姆区域，在漏极侧保留部分P型GaN层，刻蚀去除其余部分，沉积并退火形成P型欧姆接触；光刻出栅极区域，沉积并退火形成肖特基栅极金属；以栅极金属和P型欧姆金属为掩膜，对栅源和栅漏之间的P型GaN进行等离子体钝化处理，并在氮气氛围下退火，使其转变为高阻GaN。本发明，可以有效避免器件在低漏极电压下无法正向导通的现象。
天眼查资料显示，苏州镓港半导体有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州镓港半导体有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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