国家知识产权局信息显示,苏州镓港半导体有限公司申请一项名为“一种P-GaN栅增强型GaN HEMT的制备方法”的专利,公开号CN121335134A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明属于半导体器件制造技术领域,具体涉及一种P‑GaN栅增强型GaN HEMT的制备方法,包括如下步骤:在衬底上依次生长成核层、缓存层、沟道层、势垒层和P型GaN层;通过光刻和刻蚀工艺,形成器件的有源区隔离;光刻出源极和漏极区域,刻蚀去除该区域的P型GaN层,沉积并退火形成N型欧姆接触;光刻出P型欧姆区域,在漏极侧保留部分P型GaN层,刻蚀去除其余部分,沉积并退火形成P型欧姆接触;光刻出栅极区域,沉积并退火形成肖特基栅极金属;以栅极金属和P型欧姆金属为掩膜,对栅源和栅漏之间的P型GaN进行等离子体钝化处理,并在氮气氛围下退火,使其转变为高阻GaN。本发明,可以有效避免器件在低漏极电压下无法正向导通的现象。
天眼查资料显示,苏州镓港半导体有限公司,成立于2019年,位于苏州市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州镓港半导体有限公司参与招投标项目21次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息29条,此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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