北京
国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“高可靠性GaAs基大功率激光器外延结构及制备方法”的专利，公开号CN121332286A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了高可靠性GaAs基大功率激光器外延结构及制备方法，从下至上包括：GaAs衬底，Alx1Ga1‑x1AsN限制层，Alx2Ga1‑x2AsN波导层，Inx3Ga1‑x3As量子阱层,Alx5Ga1‑x5AsP波导层，Alx6Ga1‑x6AsP限制层，GaAs欧姆接触层,在GaAs衬底与N限制层之间生长一层缓冲层；在P型限制层与GaAs欧姆接触层之间生长一层保护性覆盖层，包括步骤：在GaAs衬底上生长低铝组分阻隔层，再生长高铝组分过渡层，在应变超晶格阶变缓冲层上生长限制层；生长波导层，生长量子阱层，生长波导层，生长；生长超薄高铝层，再生长超薄低铝层，在超晶格功能覆盖层上生长GaAs欧姆接触层；本发明有效保护N限制层体材料及侧面的抗氧化能力，极大提升激光器的可靠性和寿命，解决了外延层体材料本身的易氧化性，工艺复杂、成本高的问题。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目555次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息778条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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