北京
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国家知识产权局信息显示，思创电子股份有限公司申请一项名为“沟槽式MOSFET及其制造方法”的专利，公开号CN121335150A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽式MOSFET及其制造方法，所述沟槽式MOSFET包括衬底、栅极结构、源极区、氧化物间隔物、氮化物覆层、内层介电层、源极接触孔以及栅极接触孔。栅极结构设置在衬底的沟槽中，且栅极结构具有一凸出顶部自衬底的表面露出，且凸出顶部具有暴露的侧壁。源极区形成在栅极结构两侧的衬底的表面内。氧化物间隔物设置在凸出顶部的暴露的侧壁上。氮化物覆层共形地覆盖氧化物间隔物与衬底的表面。内层介电层沉积于氮化物覆层上。源极接触孔穿过内层介电层以及氮化物覆层，以与源极区接触。栅极接触孔穿过内层介电层、氮化物覆层，以与栅极结构接触。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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