日媒惊叹：中国或有望成荷兰和日本后第三个独立制造光刻机的国家

光刻机在芯片行业里可是个大难题，一直被当成中国半导体发展的最大瓶颈。简单说，它就是用光在硅片上画出超级细小的电路图案，没有它，高端芯片就别想大规模生产。

荷兰的ASML公司基本上垄断了最先进的EUV光刻机市场，全世界100%的份额都在他们手里。要做7纳米以下的芯片，必须靠他们的设备。甚至在中高端的DUV领域，他们的ArFi和ArF机型市场占比也高达96%和80%以上。这不是一家公司的事，而是集结了美国的光源、德国的镜片、日本的材料等多国技术的大杂烩。

二是高精度反射镜面，只有德国厂商能做到那种光滑度；三是光刻胶和高纯度化学品，大多是日本专利。那时候，日本光刻胶企业遍地开花，全球90%的市场份额捏在手里，地位稳如泰山。

中国起步不算早，早期主要靠组装荷兰设备来积累经验。2020年，中国为ASML组装的光刻机出货量占全球20%，等于一边帮忙生产，一边在工厂里学技术。

这种垄断格局让全球芯片供应链高度依赖少数国家，地缘风险一上来，大家都得捏把汗。中国面对这些高墙，没急着硬碰硬，而是从基础抓起，逐步蚕食技术空白。

没想到短短几年，日本媒体就改口了。2025年7月，《日经亚洲》报道说，中国很可能成为继荷兰和日本后，全球第三个能独立造全套光刻机的国家。这判断不是空穴来风，而是基于中国在关键技术上的实打实进展。

上海微电子一直在DUV浸没式光刻机上发力，他们的193nm氟化氩机型套刻精度控制在8nm以内，虽然离EUV还有距离，但已能支持中端芯片生产。这步步推进，从干式ArF到浸没式ArFi，再往EUV靠拢，差距在缩小。

2025年11月，芯上微装科技交付了AST6200型350nm步进光刻机，这设备虽不是最尖端，但正好对上第三代半导体市场的需求。

它的正面套刻精度80nm，背面500nm，能处理碳化硅、氮化镓等多种材料，用在5G基站、新能源汽车电控和Micro LED上绰绰有余。关键是国产化率高达83%，核心零部件基本自给自足。这事说明，中国企业不光追高端，还在实用领域找准位置，参与全球竞争。

光源技术是最难的一关，哈尔滨工业大学和国仪超精密集团投了11亿元建产线，2025年试运行成功。虽和ASML商用标准有差距，但已能支撑原型机关键测试，产生13.5nm波长的极紫外光。这为EUV铺路，实属不易。

中国没把鸡蛋放一个篮子，还并行推进纳米压印和电子束路线。纳米压印过去是日本佳能的强项，他们的设备线宽达14nm，对应5nm制程。但2025年，璞璘科技的PL-SR系列喷墨步进纳米压印设备交付使用，线宽小于10nm，已量产应用在存储芯片、硅基微显和先进封装上。

电子束路线也亮眼，浙江大学团队2025年推出羲之商用电子束光刻机，精度0.6nm，线宽8nm，已进入应用测试阶段。这设备用电子束直接刻电路，灵活性高，适合量子芯片等前沿领域。

这些突破像组合拳，互相支撑，形成中国半导体突围的合力。随着制程接近物理极限，先进封装成新热点，中国在这块已领先，通过2.5D/3D堆叠和异构集成，解决不少难题。

更劲爆的是，2025年12月路透社报道，中国在深圳一处保密实验室，招聘前ASML工程师，打造出EUV原型机。这机器于2025年初建成，已成功产生极紫外光，正在测试阶段，虽还没产出可用芯片，但标志着关键一步。

产业链齐全，从设备到材料，中国门类基本到位。光刻胶国产率从2020年的15%升到2024年的32%，2025年超40%。企业如南大光电、彤程新材、上海新阳等，在高端领域取得进展。氮化镓等材料也趋自给，趋势对中国有利。

其实，日本和荷兰也依赖美国技术，光刻机这工业明珠，本就不是一国独力所能及。但中国多线并进，避开单一对比，逐步构建全链条。2025年，中国半导体设备进口还高，但国产替代加速，ASML报告显示，中国市场占其销售额42%。像SSA600国产设备，已用在90nm生产线上。全球合作虽主流，但地缘压力让独立研发更现实。

往前看，中国光刻机发展潜力巨大。2026年计划量产更多设备，荷兰ASML CEO首次表态，承认彻底脱钩难，管控新规虽出，但供应链纠缠深。

德媒也报道，中国芯片技术重大突破，EUV虽需时日，但囤积设备赢得了空间。中国不光设备，还在材料和测试上补齐短板，产业链趋完整。

中国从组装起步，到如今原型机测试，靠的是实干和创新。全球半导体重塑中，中国找准位置，不再被动。日媒的惊叹，反映出格局变化，中国有望一国之力完成这复杂工程。未来竞争激烈，但自主能力增强，半导体产业更有底气。总之，这路走得稳，前景亮堂。