北京
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国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“具有增强热消散的异质外延半导体装置”的专利，公开号CN121311635A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，一种形成半导体装置结构的方法包括使半导体衬底的表面图案化，其中半导体衬底包括具有大于约50W/m·K的热导率的材料。方法进一步包括：在半导体衬底的表面上共形地形成异质外延层结构，以及在异质外延层结构中形成半导体装置。根据一些实施例的半导体装置结构包括具有图案化表面的半导体衬底。半导体衬底由具有大于约50W/m·K的热导率的材料形成。装置结构包括共形地形成在半导体衬底的图案化表面上的异质外延层结构，以及异质外延层结构上的至少一个金属接触部。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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