北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121311024A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，所述基底包括对准区；对准标记，位于所述对准区的基底中，所述对准标记中设置有凹槽；透光层，位于所述对准标记的顶部、以及所述凹槽的底部和侧壁；不透光层，位于所述基底上且保形覆盖所述透光层。对准标记被透光层和不透光层覆盖，由于不透光层形成在凹槽剩余空间区域的侧壁和底部、以及透光层的顶部，使得不透光层的外形轮廓与对准标记的外形轮廓相近似，从而能够通过识别不透光层来实现光刻工艺中的对准精度要求，进而提高了光刻工艺中的图形传递精度，提高了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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