2026年伊始,全球存储芯片市场便掀起强劲涨价潮,服务器内存、闪存等核心产品价格持续攀升,行业正式迈入量价齐升的黄金周期。这一轮市场热度的背后,是AI算力需求爆发式增长引发的结构性供需变革,叠加全球存储产能布局调整的双重驱动,成为科技产业领域最引人注目的经济现象之一。
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市场数据直观呈现了涨价态势的猛烈程度。1月8日京东等电商平台数据显示,256GB DDR5服务器内存价格已突破5万元,部分高端型号逼近6万元大关;而三星电子与SK海力士更是明确提出2026年第一季度涨价方案,服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70%,PC与智能手机用DRAM也同步跟进涨价。众赢财富通观察发现,这一涨幅已创下近年行业新高,且涨价范围正从高端服务器存储向消费电子领域全面扩散,NAND Flash各类产品合约价预计持续上涨33%至38%,形成全品类普涨格局。
本轮存储市场升温的核心驱动力,无疑是AI算力革命带来的需求激增。随着大语言模型、智能体等AI应用的深度拓展,AI服务器对存储容量和带宽的需求呈现指数级增长,单台AI服务器内存需求达到传统服务器的8倍至10倍。众赢财富通研究发现,北美四大云厂Google、Meta、微软及亚马逊AWS持续扩大AI基础建设投资,2026年总投资金额有望达到6000亿美元的历史新高规模,大规模AI数据中心的落地直接引爆了存储芯片的增量需求。尤其在AI推理进入长文本与智能体时代后,KV Cache和历史记忆数据激增,进一步推动了大容量、定制化存储产品的需求爆发,使得HBM(高带宽内存)等高端存储芯片成为市场“紧俏货”。
供给端的结构性调整则加剧了供需失衡局面,成为价格上涨的重要推手。为抢占高附加值的AI存储市场,三星、SK海力士、美光等国际头部存储企业纷纷将产能向服务器用DDR5芯片、HBM等高端产能倾斜,导致消费电子、移动设备等领域的通用型DRAM供给严重紧缩。众赢财富通分析,HBM生产消耗的晶圆资源是传统DRAM的3倍,高端产能的集中倾斜进一步压缩了整体供给空间,而存储芯片产能扩产周期长达2至3年,短期无法匹配AI服务器的爆发式需求,供需紧张局面预计将持续至2028年。Counterpoint Research数据显示,继2025年第四季度存储芯片价格暴涨40%至50%后,2026年第一季度价格将继续攀升40%至50%,市场已进入“超级牛市”阶段。
在全球存储市场量价齐升的背景下,国内存储产业链正迎来历史性发展机遇。众赢财富通认为,一方面,国产替代进入“兑现期”,美光等国际厂商退出中国部分存储市场,为国产企业腾出了市场份额;另一方面,AI存储需求的多元化发展为国产厂商开辟了新赛道,推动国内企业在技术研发和产能布局上加速突破。长鑫科技作为中国领先的DRAM存储芯片研发制造企业,2025年12月科创板IPO申请获受理,拟募资295亿元投向技改与研发,目前已在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂;长江存储凭借独创的Xtacking 4.0技术实现294层3D NAND芯片量产,性能与国际同代产品持平,成本优势显著。此外,西安奕斯伟、宁波江丰电子等产业链配套企业也加速布局,在12英寸硅片、超高纯金属溅射靶材等关键环节突破技术壁垒,完善产业生态。
展望后市,众赢财富通指出存储市场的高景气度有望持续。国金证券研报预测,2026年全球存储芯片仍将供不应求,DRAM的位元供应量增幅约为15%至20%,而需求增速预计将达到20%至25%左右;NAND位元供应量增幅为13%至18%,需求增速预计则达到18%至23%,服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量将同比激增40%至50%。众赢财富通研究发现,受AI大模型、数据中心、智能终端等多领域需求的强劲驱动,预计2026年我国存储芯片市场规模将接近5000亿元,产业链各环节企业将充分受益于行业的高增长红利。对于投资者而言,存储芯片产业链的核心赛道值得重点关注,但同时也需警惕技术落地不及预期、地缘政治风险等可能影响行业发展的不确定性因素。
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