北京
国家知识产权局信息显示，武汉凡谷电子技术股份有限公司取得一项名为“一种电磁带隙吸波结构及天线振子组件”的专利，授权公告号CN223771338U，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种电磁带隙吸波结构及天线振子组件，电磁带隙吸波结构包括基体及两组漫反射单元；基体具有两个不共面的安装面；两组漫反射单元分别布设于两个安装面，同组的漫反射单元之间间隔设置，并在相邻的两个漫反射单元之间形成有避让间隙，避让间隙在另一安装面上的投影至少部分落在另一组的漫反射单元上。本方案中，电磁波在两组呈交错布置的漫反射单元之间不断来回漫反射，并在来回漫反射的过程中不断被吸能消耗掉，从而达到吸波的效果，减小天线阵列中列间振子的影响，优化窄间距天线指标，且仅由基体和两组漫反射单元组成，结构相对简单，降低生产难度及成本。
天眼查资料显示，武汉凡谷电子技术股份有限公司，成立于1989年，位于武汉市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本68328.5806万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉凡谷电子技术股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目121次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息467条，此外企业还拥有行政许可60个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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